光刻胶的应用
光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一,特别是近年来大规模和超大规模集成电路的发展,更是大大促进了光刻胶的研究开发和应用。印刷工业是光刻胶应用的另一重要领域。
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光刻胶的主要技术参数
1.灵敏度(sensitivity)
灵敏度是衡量光刻胶*速度的指标。光刻胶的灵敏度越高,所需的*剂量越小。单位:毫焦/平方厘米或mj/cm2。
2.分辨率(resolution)
区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸(cd,critical dimension)来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小,nr73g 6000p光刻胶哪里有,光刻胶的分辨率越好。
光刻胶的分辨率是一个综合指标,影响该指标的因素通常有如下3个方面:
(1) *系统的分辨率。
(2) 光刻胶的对比度、胶厚、相对分子质量等。一般薄胶容易得到高分辨率图形。
(3) 前烘、*、显影、后烘等工艺都会影响光刻胶的分辨率。
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光刻胶的概述
光刻胶也称为光致*蚀剂,是一种光敏材料,它受到光照后特性会发生改变。光刻胶主要用来将光刻掩膜版上的图形转移到晶圆片上。
光刻胶有正胶和负胶之分。正胶经过*后,受到光照的部分变得容易溶解,经过显影后被溶解,只留下未受光照的部分形成图形;而负胶却恰恰相反,经过*后,受到光照的部分会变得不易溶解,经过显影后,nr73g 6000p光刻胶厂家,留下光照部分形成图形。
负胶在光刻工艺上应用早,其工艺成本低、产量高,但由于它吸收显影液后会膨胀,nr73g 6000p光刻胶,导致其分辨率(即光刻工艺中所能形成图形)不如正胶,因此对于亚微米甚至更小尺寸的加工技术,主要使用正胶作为光刻胶。
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