代理PW2308芯片 N沟道增强型MOSFET
一般说明
pw2308采用先进的沟道技术，提供优秀的rds（on）、低栅极充电和低至4.5v的栅极电压运行。该器件适合用作电池保护或其他开关应用。
特征
l vds=60v，id=5a
l rds（开）<38mω@vgs=10v
l 提供3针sot23-3封装
应用
l 电池保护
l 负荷开关
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