半导体芯片退火
半导体芯片在经过离子注入以后就需要退火。因为往半导体中注入杂质离子时,高能量的入射离子会与半导体晶格上的原子碰撞,使一些晶格原子发生位移,结果造成大量的空位,将使得注入区中的原子排列混乱或者变成为非晶区,所以在离子注入以后必须把半导体放在一定的温度下进行退火,以恢复晶体的结构和消除缺陷。同时,退火还有施主和受主杂质的功能,沉头内六角热处理,即把有些处于间隙位置的杂质原子通过退火而让它们进入替代位置。退火的温度一般为200~800c,比热扩散掺杂的温度要低得多。
2稳定化处理。一般是在固溶处理后进行常用于含ti、nb的18-8钢固处理后将
钢加热到850880℃保温后空冷 此时cr的碳化物完全溶解脱而钛的碳化物不完全溶
解且在冷却过程中充分析出使碳不可能再形成格的碳化物因而有效地消除了晶间腐蚀。
青岛万利鑫热处理有限公司是一家*从事金属热处理加工的企业,转子热处理,公司可承接退火、正火、淬火、回火、调质、渗碳、局部高频淬火等热处理加工业务
2加入合金元素使钢的表面形成一层稳定的、完整的与钢的基体结合牢固的纯化
膜。从而提高钢的耐化学腐蚀能力。如在钢中加入 cr,莱西热处理,si.al等合金元素 使钢的表层形
成致密的cr2o3,sio2,al2o3等氧化膜 就可提高钢的耐蚀性。
3加入合金元素使钢在常温时能以单相状态存在减少微电池数目从而提高钢的
耐蚀性。如加入足够数量的cr或crni,使钢在室温下获得单相铁 素体或单相奥氏体。
4加入mo、cu等元素提高钢*非氧化性酸腐蚀的能力。
5加入tinb等元素消除cr的晶间偏析从而减轻了晶问腐蚀倾向。
6加入mn、n等元素代替部分ni获得单相奥氏体组织同时能大大提高铬不锈
钢在有机酸中的耐蚀性。
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