VS3506AE
features p-channel，-5v logic level control low on-resistance rds(on) @ vgs=-4.5 v fast switching enhancement mode pb-free lead plating; rohs compliant
v(br)dss drain-source breakdown voltage vgs=0v, id=-250μa -30 -- -- v dss i zero gate voltage drain current vds=-30v,vgs=0v -- -- -1 μa zero gate voltage drain current(tj=125℃) vds=-30v,vgs=0v -- -- -100 μa gss i gate-body leakage current vgs=±25v,vds=0v -- -- ±100 na vgs(th) gate threshold voltage vds=vgs,id=-250μa -1.2 -- -2.5 v rds(on) drain-source on-state resistance ④ vgs=-10v, id=-20a -- 6 8 mω rds(on) drain-source on-state resistance ④ vgs=-4.5v, id=-16a -- 10 13 mω dynamic electrical characteristics @ tj = 25°c (unless otherwise stated) ciss input capacitance vds=-15v,vgs=0v, f=1mhz -- 4725 -- pf coss output capacitance -- 550 -- pf crss reverse transfer capacitance -- 495 -- pf rg gate resistance f=1mhz -- 3.4 -- ω qg total gate charge vds=-15v,id=-20a, vgs=-10v -- 89 -- nc qgs gate-source charge -- 14 -- nc qgd gate-drain charge -- 19 -- nc switching characteristics d(on) t turn-on delay time vdd=-15v, id=-20a, rg=3ω, vgs=-10v -- 182 -- ns r t turn-on rise time -- 262 -- ns d(off) t turn-off delay time -- 1.3 -- us f t turn-off fall time -- 9.8 -- us source- drain diode characteristics@ tj = 25°c (unless otherwise stated) vsd forward on voltage isd=-20a,vgs=0v -- -0.8 -1.2 v rr t reverse recovery time tj=25℃,isd=-20a, vgs=0v di/dt=-300a/μs -- 34 -- ns qrr reverse recovery charge -- 79 -- nc
深圳市华钻电子有限公司成立于2004年，位于广东省深圳市，同时还分别下设有中山、宁波和西安分公司，是一家代理及分销国内外各大品牌电元器件的电子科技公司，具有丰富的电子行业经验，所供应的产品应用于led照明，led显示，led电源，led模组，通讯，无线充电及航天航空电子产品领域。
代理及分销品牌有：亚成微，绿达 长运通，台湾聚积 台湾茂达 明微 等 mos 新洁能 威兆 瑞森 美浦森 欢迎来电咨询
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