华润华晶CS630A4H
描述
cs630a4h，硅n沟道增强型vdmosfet是通过自对准平面技术获得的这减少了传导损耗，改善了开关性能并增强雪崩能量。晶体管可用于系统的各种电源开关电路小型化和更高的效率。包装形式为to-252，符合rohs标准。
特征
快速切换
低导通电阻（rdson≤0.28Ω)
低栅极电荷（典型数据：13nc）
低反向转移电容（典型值：10pf）
100%单脉冲雪崩能量测试
应用
汽车、直流电机控制和d类放大器。
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