纳米三氧化二铟 氧化铟 n型透明半导体 In2O3
纳米三氧化二铟 氧化铟 n型透明半导体 in2o3
技术参数
货号
平均粒径
纯度（%）
分子量
沸点
密度（g/cm3）
晶形
颜色
b-in2o3-40n
40nm
99.99
277.63
850℃
7.1800
球形
浅黄色
以上为公司常规规格，如需其他规格请联系我们
产品特点
新的n型透明半导体功能材料，具有较宽的禁带宽度、较小的电阻率和较高的催化活性，在光电领域、气体传感器、催化剂方面得到了广泛应用。而氧化铟颗粒尺寸达纳米级别时除具有以上功能外，还具备了纳米材料的表面效应、量子尺寸效应、小尺寸效应和宏观量子隧道效应等。
潜在应用领域：
电阻式触摸屏中经常使用的原材料，主要用于荧光屏、玻璃、陶瓷、化学试剂等。另外，广泛应用于有色玻璃、陶瓷、碱锰电池代汞缓蚀刘、化学试剂等传统领域。近年来大量应用于光电行业等高新技术领域和军事领域，特别适用于加工为铟锡氧化物(ito)靶材，制造透明电极和透明热反射体材料，用于生产平面液晶显示器和除雾冰器。
包装储存
本品默认惰气防静电袋装桶装或真空袋装，实验量可选惰气瓶装，需要惰气瓶装的客户请联系我们。收货后应密封保存于干燥、阴凉的环境中，不宜长久暴露于空气中，防受潮发生团聚，影响分散性能和使用效果。
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