雪崩击穿
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雪崩击穿
另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时,外加电场使电子*移速度加快,从而与共价键中的价电子相碰撞,把价电子撞出共价键,产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子,载流子雪崩式地增加,致使电流急剧增加,这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿,若对其电流不加限制,都可能造成pn结不可逆性损坏。
二*管反向特性
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在电子电路中,大功率快恢复二*管品牌,二*管的正*接在低电位端,负*接在高电位端,此时二*管中几乎没有电流流过,此时二*管处于截止状态,这种连接方式,快恢复二*管品牌,称为反向偏置。二*管处于反向偏置时,仍然会有微弱的反向电流流过二*管,称为漏电流。当二*管两端的反向电压*到某一数值,反向电流会急剧*,二*管将失去单方向导电特性,这种状态称为二*管的击穿。
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11、pin型二*管(pin diode)
这是在p区和n区之间夹一层本征半导体(或低浓度杂质的半导体)构造的晶体二*管。pin中的i是本征意义的英文略语。当其工作频率超过100mhz时,led快恢复二*管品牌,由于少数载流子的存贮效应和本征层中的渡越时间效应,其二*管失去整流作用而变成阻*元件,并且,其阻*值随偏置电压而改变。在零偏置或直流反向偏置时,本征区的阻*很高;在直流正向偏置时,由于载流子注入本征区,而使本征区呈现出低阻*状态。因此,可以把pin二*管作为可变阻*元件使用。它常被应用于高频开关(即微波开关)、移相、调制、限幅等电路中。
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