发光二极管和光电二极管的定义和区别
光电二极管和发光二极管的区别在电子行业从事的员工经常会听到光电二极管，但是对于其工作原理却并不怎么明白，它和另一个名词发光二极管又有什么区别今天这篇文章将带大家一起来了解!
光电二极管和发光二极管的区别
一、光电二极管定义
与普通二极管一样，光电二极管是由pn结组成的半导体设备，具有单向导电特性。但在电路中，它不是一个整流元件，而是一个将光信号转换为电信号的光电设备。
光电二极管是将光信号转换为电信号的半导体设备。其核心部分也是pn结。与普通二极管相比，pn结面积尽可能大，电极面积尽可能小，pn结深度较浅，一般小于1微米。
二、发光二极管定义
发光二极管是一种常用的发光设备，通过电子和穴位复合释放能量，广泛应用于照明领域。发光二极管可以有效地将电能转化为光能，广泛应用于照明、平板显示、医疗设备等现代社会。
发光二极管也由普通二极管组成，具有单向导电性。当向发光二极管添加正电压时，从p区注入n区的孔和从n区注入p区的电子，在pn结附近的几微米内与n区的电子和p区的孔复合，产生自发辐射的荧光。电子和孔在不同的半导体材料中处于不同的能量状态。当电子和孔复合时，释放的能量越多，光的波长就越短。常用的二极管是红光、绿光或黄光。发光二极管的反向电压大于5伏。其正伏安特性曲线非常陡，必须串联限流控制通过二极管。
发光二极管的核心部分是由p型半导体和n型半导体组成的晶片，在p型半导体和n型半导体之间有一个过渡层，称为pn结。在些半导体材料的pn结中，注入的少数载流子和多数载流子以光的形式释放多余的能量，从而直接将电能转化为光能。pn结加反向电压，少数载流子难以注入，因此不发光。当它处于正工作状态(即两端加正电压)，电流从阳极流向阴极时，半导体发出从紫外线到其他不同颜色的光，光的强度与电流有关。
三、发光二极管与光电二极管的区别
普通二极管在反向电压作用下处于截止状态，只能流过微弱的反向电流。光电二极管在设计和生产过程中应尽量使pn结面积相对较大，以便接收收入射光。光电二极管在反向电压下工作。当没有光时，反向电流非常微弱，称为暗电流;当有光时，反向电流迅速增加到几十个微安，称为光电流。光的强度越大，反向电流就越大。光的变化会导致光电二极管的电流变化，从而将光信号转换为电信号，成为光电传感器。
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光电二极管和发光二极管的区别
一、光电二极管定义
与普通二极管一样，光电二极管是由pn结组成的半导体设备，具有单向导电特性。但在电路中，它不是一个整流元件，而是一个将光信号转换为电信号的光电设备。
光电二极管是将光信号转换为电信号的半导体设备。其核心部分也是pn结。与普通二极管相比，pn结面积尽可能大，电极面积尽可能小，pn结深度较浅，一般小于1微米。
二、发光二极管定义
发光二极管是一种常用的发光设备，通过电子和穴位复合释放能量，广泛应用于照明领域。发光二极管可以有效地将电能转化为光能，广泛应用于照明、平板显示、医疗设备等现代社会。
发光二极管也由普通二极管组成，具有单向导电性。当向发光二极管添加正电压时，从p区注入n区的孔和从n区注入p区的电子，在pn结附近的几微米内与n区的电子和p区的孔复合，产生自发辐射的荧光。电子和孔在不同的半导体材料中处于不同的能量状态。当电子和孔复合时，释放的能量越多，光的波长就越短。常用的二极管是红光、绿光或黄光。发光二极管的反向电压大于5伏。其正伏安特性曲线非常陡，必须串联限流控制通过二极管。
发光二极管的核心部分是由p型半导体和n型半导体组成的晶片，在p型半导体和n型半导体之间有一个过渡层，称为pn结。在些半导体材料的pn结中，注入的少数载流子和多数载流子以光的形式释放多余的能量，从而直接将电能转化为光能。pn结加反向电压，少数载流子难以注入，因此不发光。当它处于正工作状态(即两端加正电压)，电流从阳极流向阴极时，半导体发出从紫外线到其他不同颜色的光，光的强度与电流有关。
三、发光二极管与光电二极管的区别
普通二极管在反向电压作用下处于截止状态，只能流过微弱的反向电流。光电二极管在设计和生产过程中应尽量使pn结面积相对较大，以便接收收入射光。光电二极管在反向电压下工作。当没有光时，反向电流非常微弱，称为暗电流;当有光时，反向电流迅速增加到几十个微安，称为光电流。光的强度越大，反向电流就越大。光的变化会导致光电二极管的电流变化，从而将光信号转换为电信号，成为光电传感器。
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