高压led驱动ic-led驱动ic-传感ic电子驱动ic
igbt的驱动电路特点（二）
igbt全称绝缘栅双*晶体管，是mosfet和gtr(功率晶管)相结合的产物。它的三个*分别是集电*(c)、发射*(e)和栅*(g)。
特点：击穿电压可达1200v，集电*饱和电流已超过1500a。由igbt作为逆变器件的变频器的容量达250kva以上，工作频率可达20khz。
igbt是insulated gate bipolar transistor(绝缘栅双*型晶体管)的缩写，igbt是由mosfet和双*型晶体管复合而成的一种器件，其输入*为mosfet，输出*为pnp晶体管，它融合了这两种器件的优点，既具有mosfet器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双*型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于mosfet与功率晶体管之间，可正常工作于几十khz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。
若在igbt的栅*和发射*之间加上驱动正电压，则mosfet导通，led驱动ic，这样pnp晶体管的集电*与基*之间成低阻状态而使得晶体管导通；若igbt的栅*和发射*之间电压为0v，则mos 截止，切断pnp晶体管基*电流的供给，led驱动控制ic，使得晶体管截止。igbt与mosfet一样也是电压控制型器件，在它的栅*—发射*间施加十几v的直流电压，只有在u级的漏电流流过，基本上不消耗功率。
驱动ic厂聚积在miniled良率达到99%，明年首季产出放量，随着显示屏采用miniled，聚积已备妥方案准备大谈商机，业内人士预期2019年业绩将挑战历史高峰。瑞泰威驱动ic厂家，是国内ic电子元器件的代理销售企业，*从事各类驱动ic、存储ic、传感器ic、触摸ic销售，品类齐全，具备上百个型号。
聚积目前除了与中国品牌手机客户合作，在小间距led显示屏的画面质量逐渐朝向高标准hdr，miniled hdr 10的se域范围bt.2020，明年首季开始大量产出，对比度已达到25，000：1，由于hdr能表现出与人眼所能感知的动态范围相近，提高画面亮度，控制暗部画面的亮度，强化明暗画面之间的对比度，营造出更加接近现实的自然观感，高压led驱动ic，因此，聚积目前已与韩系客户洽谈合作，跨入大型屏幕剧院开发，可望在2019年传来佳音。
igbt综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600v及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
图1所示为一个n 沟道增强型绝缘栅双*晶体管结构， n 区称为源区，附于其上的电*称为源*。n 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电*称为栅*。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的p 型区（包括p 和p 一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（ subchannel region ）。而在漏区另一侧的p 区称为漏注入区（ drain injector ），它是igbt 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成pnp 双*晶体管，起发射*的作用，向漏*注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电*称为漏*。
igbt的开关作用是通过加正向栅*电压形成沟道，led 驱动 ic，给pnp 晶体管提供基*电流，使igbt 导通。反之，加反向门*电压消除沟道，切断基*电流，使igbt 关断。igbt 的驱动方法和mosfet 基本相同，只需控制输入*n一沟道mosfet ，所以具有高输入阻*特性。当mosfet 的沟道形成后，从p 基*注入到n 一层的空穴（少子），对n 一层进行电导调制，减小n 一层的电阻，使igbt 在高电压时，也具有低的通态电压。
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