北京创世威纳-天津感应耦合等离子体刻蚀机
等离子刻蚀工艺
等离子体刻蚀分为两个过程：首先，等离子体中产生化学活性组分；其次，这些活性组分与固体材料发生反应，天津感应耦合等离子体刻蚀机，形成挥发性化合物，从表面扩散排走。例如，cf4离解产生的f，与s反应生成sif4气体，结果是在含si材料的表面形成了微观铣削结构。等离子体刻蚀是一个通用术语，包括离子刻蚀、溅射刻蚀以及等离子体灰化等过程。
基底和工艺参数决定了表面改性的类型，基底温度、处理时间和材料扩散特性决定了改性深度。等离子体仅能在表面刻蚀几个微米的深度，感应耦合等离子体刻蚀机工作原理，改性后的表面特性发生了改变，但大部分材料的特性仍能得以保持。这项技术还可以用于表面清洗、固话、粗化、改变亲水性及粘结性等，同样也可以使电子显微镜下观察的样品变薄以及应用于半导体集成电路的制造过程中。在化学溅射中会发生反应并产生挥发性产物。常用的气体包括ar、he、o2、h2、h2o、co2、cl2、f2和有机蒸气等。与存在化学反应的等离子体溅射相比，惰性离子溅射更像是一个物理过程。
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感应耦合等离子体刻蚀的原理
以下是创世威纳为您一起分享的内容，创世威纳*生产感应耦合等离子体刻蚀，欢迎新老客户莅临。
感应耦合等离子体刻蚀法（inductively coupled pla*a etch，感应耦合等离子体刻蚀机供应商，简称icpe）是化学过程和物理过程共同作用的结果。它的基本原理是在真空低气压下，icp 射频电源产生的射频输出到环形耦合线圈，感应耦合等离子体刻蚀机品牌，以一定比例的混合刻蚀气体经耦合辉光放电，产生高密度的等离子体，在下电*的rf 射频作用下，这些等离子体对基片表面进行轰击，基片图形区域的半导体材料的化学键被打断，与刻蚀气体生成挥发性物质，以气体形式脱离基片，从真空管路被抽走。
感应耦合等离子体刻蚀机的结构四
真空系统真空系统有两套，分别用于预真空室和刻蚀腔体。预真空室由机械泵单独抽真空，只有在预真空室真空度达到设定值时，才能打开隔离门，进行传送片。刻蚀腔体的真空由机械泵和分子泵共同提供，刻蚀腔体反应生成的气体也由真空系统排空。
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基底和工艺参数决定了表面改性的类型，基底温度、处理时间和材料扩散特性决定了改性深度。等离子体仅能在表面刻蚀几个微米的深度，感应耦合等离子体刻蚀机工作原理，改性后的表面特性发生了改变，但大部分材料的特性仍能得以保持。这项技术还可以用于表面清洗、固话、粗化、改变亲水性及粘结性等，同样也可以使电子显微镜下观察的样品变薄以及应用于半导体集成电路的制造过程中。在化学溅射中会发生反应并产生挥发性产物。常用的气体包括ar、he、o2、h2、h2o、co2、cl2、f2和有机蒸气等。与存在化学反应的等离子体溅射相比，惰性离子溅射更像是一个物理过程。
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真空系统真空系统有两套，分别用于预真空室和刻蚀腔体。预真空室由机械泵单独抽真空，只有在预真空室真空度达到设定值时，才能打开隔离门，进行传送片。刻蚀腔体的真空由机械泵和分子泵共同提供，刻蚀腔体反应生成的气体也由真空系统排空。
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