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和运行。
在多款充电芯片中,小米自研的澎湃p1芯片以其率脱颖而出。
作为业界谐振充电芯片,澎湃p1拥有自适应开关的4:1超率架构。其谐振拓扑效率高达97.5%,非谐振拓扑效率
为96.8%,热损耗直线下降30%。此外,它还具有0.83wmm2的超高功率密度和业界的超低1.18mωmm2 rsp。这款芯片被
用于小米12 pro手机中,实现了行业的“120w单电芯”充电技术,填补了该领域的空白。
请注意,充电芯片的效率可能受到多种因素的影响,包括电路设计、电池类型、充电速度等。因此,在选择充电芯片时,除
了效率,还需要综合考虑其他因素,如安全性、性和成本等。
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