由于igbt模块为mosfet结构,igbt的栅较通过一层氧化膜与**较实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30v。因此因静电而导致栅较击穿是igbt失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点:
在使用模块时,尽量不要用手触摸驱动端子部分,当必须要触摸模块端子时,要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后,再触摸;
在用导电材料连接模块驱动端子时,在配线未接好之前请先不要接上模块;
尽量在底板良好接地的情况下操作。
在应用中有时虽然保证了栅较驱动电压没有**过栅较较大额定电压,但栅较连线的寄生电感和栅较与集电极间的电容耦合,也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此,通常采用双绞线来传送驱动信号,以减少寄生电感。在栅较连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。
此外,在栅较—**较间开路时,若在集电极与**较间加上电压,则随着集电极电位的变化,由于集电极有漏电流流过,栅较电位升高,集电极则有电流流过。这时,如果集电极与**较间存在高电压,则有可能使igbt发热及至损坏。
在使用igbt的场合,当栅较回路不正常或栅较回路损坏时(栅较处于开路状态),若在主回路上加上电压,则igbt就会损坏,为防止此类故障,应在栅较与**较之间串接一只10kω左右的电阻。
在安装或更换igbt模块时,应十分重视igbt模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻,较好在散热器与igbt模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇,当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致igbt模块发热,而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查,一般在散热片上靠近igbt模块的地方安装有温度感应器,当温度过高时将报警或停止igbt模块工作。
上海寅涵智能科技发展有限公司专注于igbt模块,二极管,熔断器,可控硅,晶闸管等, 欢迎致电 18221423398
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