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led大功率芯片一般指多大面积的芯片?
用于白光的led大功率芯片一般在市场上可以看到的都在40mil左右，所谓的大功率芯片的使用功率一般是指电功率在1w以上。
由于量i子效率一般小于20%大部分电能会转换成热能，led芯片报价，所以大功率芯片的散热很重要，要求芯片有较大的面积。
制造gan外延材料的芯片工艺和加工设备与gap、gaas、ingaalp相比有哪些不同的要求?为什么?
普通的led红黄芯片和高亮四元红黄芯片的基板都采用gap、gaas等化合物半导体材料，广州led芯片，一般都可以做成n型衬底。
采用湿法工艺进行光刻，较为后用金刚砂轮刀片切割成芯片。
gan材料的蓝绿芯片是用的蓝宝石衬底，由于蓝宝石衬底是绝缘的，所以不能作为led的一个*，必须通过干法刻蚀的工艺在外延面上同时制作p/n两个电*并且还要通过一些钝化工艺。由于蓝宝石很硬，用金刚砂轮刀片很难划成芯片。
它的工艺过程一般要比gap、gaas材料的led多而复杂。
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、sic、si)上，led芯片价格，气态物质ingaalp有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。
目前led外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。
mocvd介绍：
金属有机*学气相淀积(metal-organic chemical vapor depoisition，简称 mocvd)， 1968年由美国洛克威尔公司提出来的一项制备化合物半导体单品薄膜的新技术。
该设备集精密机械、半导体材料、真空电子、流体力学、光学、化学、计算机多学科为一体，是一种自动化程度*格昂贵、技术集成度高的尖i端光电子*设备，主要用于gan(氮化家)系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二*管芯片的制造，也是光电子行业蕞有发展前途的*设备之一。
我们平常所见到的电子芯片，比如arm芯片、asic芯片、fgpa芯片等，跟led芯片主要有什么区别？led芯片是不是只是把一大堆能发光的二*管布在晶圆上呢？led芯片有没有28nm、14nm这样的制程的说法呢？
蕞大的不同是：1，led芯片厂家，材料不一样，前者为硅基，后者为三五族化合物；2，前者是集成器件，后者是分立器件；3，后者对材料缺陷率要求更高。
电子芯片长在硅衬底上，中间各种光刻、刻蚀、掺杂、长膜、氧化等都以硅或二氧化硅材料为主；而led长在蓝宝石（al2o3）、sic或si衬底上，缓冲层后长成后，再长n型gan层和p型gan层，中间一层多量i子阱发光层。电流经过pn结时因为电势能的变化将多余的能量以光的形式散发出去，不同的电势能差则光的能量也有不同，表现就是不同的发光颜色（如蓝光、红光led，红光能量低技术简单，很多年以前就出来了；蓝光led能量高，难度大。蓝光led激发*荧光粉可产生白光）
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